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2017年中國興建晶圓廠支出將超40億美元
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而以 2017 年來說,晶圓廠的相關支出將會以晶圓代工與 3D NAND 閃存為大宗。其中,存儲支出達 227 億美元,晶圓代工的支出則是來到的 145 億美元。至於,在 DRAM 方面,因為近期廠商多轉入 2X 納米製程上,並無*新增產能。預計必須來到 2018 年之後,技術轉進 1X 納米製程,屆時才會有比較多的產能開出。
另外,近期大家所關心的中國半導體產業的發展,曾瑞榆也指出,中國大陸地區目前是僅次於中國台灣地區與日本的前 3 大半導體設備市場。2016 年中國大陸的晶圓廠建廠支出金額約 20 億美元,2017 年則將持續興建新晶圓廠的動作,統計將有 20 座晶圓廠先後啟動建廠,使得 2017 年中國大陸晶圓廠的建廠支出將一舉超過 40 億美元的紀錄,佔全球 70% 的比例。
曾瑞榆進一步指出,就個別廠商來觀察,2018 年之前,中國大陸企業的投資金額都將少於來自中國台灣地區及韓國等半導體企業的支出。但是自 2019 年之後,中國本土廠商投資金額將呈現跳躍式成長,首度超越外商的支出金額。時至 2019 年,中國大陸半導體產能在全球佔有率將由 2016 年的 12% 提升提高至 17% 的規模,逐漸提升其在全球半導體產業的地位。
(來源:EETOP)
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