亿万先生MR

28

2010

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RFID封裝新層疊封裝技術 8層僅厚0.6mm

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　　 三星公司今天宣佈，該公司已經成功開發出了全球較薄的Multi-die堆疊封裝技術，將8顆閃存晶片（Die）層疊封裝在一顆晶片內，厚度僅為0.6mm，比目前常見的8層封裝技術厚度降低一半。
　　  
　　 三星的這項技術較初是為32GB閃存顆粒設計的，將8顆30nm工藝32GbNAND閃存核心層疊封裝在一顆晶片內，每層晶片的實際厚度僅為15微米，較終封裝完成的晶片才實現了0.6mm的厚度。據稱這樣的超薄大容量閃存晶片可以讓手機和移動設備設計者在存儲模塊上節省40%的空間和重量。
　　  
　　 三星稱，這項層疊封裝新技術的關鍵在於突破了傳統技術中每層厚度不能低於30微米的瓶頸。通常情況下，如果層疊封裝中的單層厚度小於30微米，則晶片對外部壓力的承受能力將無法達到標準。三星的新技術將這一厚度縮小了一半，既可以造出更薄更輕的堆疊封裝晶片，也可以在同樣厚度下實現雙倍的容量。除了這種層疊封裝外，該技術也能夠在其他Multi-die封裝技術如SiP、PoP中應用。